BC859BW T/R datasheet
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>> BC859BW T/R 两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BC859BW T/R
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述
两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7
BC859BW T/R PDF下载
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
30 V
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
5 V
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
100 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min
220 at 2 mA at 5 V
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
相关资料
属性
链接
代理商
BC859BW T/R
BC859BW,115
BC859BW,135
BC859BW/T3
BC859BWE6327
BC859BWRF
供应商
公司名
电话
深圳市亿联芯电子科技有限公司
18138401919
吴经理
深圳市芯品会科技有限公司
0755-83265528
朱先生
集好芯城
0755-83289799
陈先生 13360533550
深圳市德力诚信科技有限公司
13305449939
王小姐
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
13163738578
廖R
BC859BW T/R 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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